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论刻蚀垂直腔面发射激光器光刻工艺

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论文导读:文可以联系人员哦。摘要4-5ABSTRACT5-6目录6-7第一章绪论7-121.1VCSEL的进展历程7-81.2VCSEL的进展近况及运用8-111.3光刻工艺在VCSEL中的重要量111.4本论文的主要工作11-12第二章VCSEL的结构和相关论述12-19

2.1VCSEL的结构12-152VCSEL的发光原理15-163分布布拉

摘要:本论文结合"980nm新型辐射桥结构垂直腔面发射激光器”课题,首先阐述了VCSEL的探讨进展及运用情况,并对垂直腔面发射激光器结构特性进行详细介绍。概述了辐射桥结构VCSEL完整的工艺流程,通过优化光刻工艺,设计辐射桥结构光刻版,降低了器件内部产生的焦耳热。浅析了VCSEL的发光原理及阈值条件。在刻蚀工艺中,通过转变腐蚀液来实现“钻蚀夹角”结构的消除。利用扫描电镜对芯片进行测试,得到腐蚀液的选择及配比情况对芯片腐蚀深度,腐蚀形貌的影响规律,并给出最佳的腐蚀速率。结果得出:器件引入辐射桥电极后,在温度加到25℃时,阈值电流达到最低点,约为360mA;器件的峰值波长为983.42nm,半峰宽度为0.92nm;当注入电流为1.9A时器件的输出功率达到最高值710mW;电光转换效率为2

4.98%。关键词:垂直腔面发射激光器论文辐射桥结构论文湿法刻蚀论文光刻版论文

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ABSTRACT5-6
目录6-7
第一章 绪论7-12

1.1 VCSEL的进展历程7-8

1.2 VCSEL的进展近况及运用8-11

1.3 光刻工艺在VCSEL中的重要量11

1.4 本论文的主要工作11-12

第二章 VCSEL的结构和相关论述12-19

2.1 VCSEL的结构12-15

2.2 VCSEL的发光原理15-16

2.3 分布布拉格反射镜热电阻浅析16-17

2.4 阈值激射条件浅析17-19

第三章 光刻工艺19-30

3.1 光刻工艺19-26

3.2 光刻胶化学26-30

第四章 辐射桥结构VCSEL光刻工艺30-46

4.1 基于新型辐射桥结构光刻版的设计30-32

4.2 工艺流程32-40

4.3 “钻蚀夹角”结构的消除40-43

4.4 腐蚀速率的探讨43-46

第五章 VCSEL器件性能测试46-51

5.1 阈值电流测试46-47

5.2 P-I-V特性测试47-48

5.3 VCSEL的光谱检测48-49

5.4 光场的测量49-51

结论51-52
致谢52-53
参考文献53-54