世界代工业发展和成本提高-站

论文导读：场效应晶体管)，据估计，如要成为技术领导厂商，开发FinFET制造技术所需成本约在20至30亿美元，即使模仿追随且不致落后太多，最起码也要投资18亿美元。以研发成本占总营收10%的比例计算，公司营收需要达到90亿美元方可，技术开发时间一般超过2年。此外，14nm节点制造技术加上有关厂房设备，以每月4万晶圆片产能计算，总成本将超过50亿

世界晶圆代工业进入21世纪以来尽管有所起伏，但自2010年达到约300亿美元的规模以后，将迈向连年上升的态势，2011年增长6.4%，近320亿美元，预计今年将加速成长15%，达约365亿美元，并期望2018年可成长到630亿美元，2011～2018年的年均增长率达到10.2%。
但是，随着市场规模的扩大和技术的进步，代工业的投资将不断增大，成本日渐提高。据顾问机构International B u s i n e s s Strategies(IBS)执行长Handel Jones称，当加工工艺在20nm节点时，主要成本来自bulk CMOS（体 CMOS）技术，大约在10～13.5亿美元之间，而当进步到14nm时则将采用FinFET（Fin Field-E源于：毕业论文致谢怎么写www.7ctime.com
ffect Transistor 鳍式场效应晶体管)，据估计，如要成为技术领导厂商，开发FinFET制造技术所需成本约在20至30亿美元，即使模仿追随且不致落后太多，最起码也要投资18亿美元。以研发成本占总营收10%的比例计算，公司营收需要达到90亿美元方可，技术开发时间一般超过2年。此外，14nm节点制造技术加上有关厂房设备，以每月4万晶圆片产能计算，总成本将超过50亿美元。代工业将继续发展下去，但所需投资能否独力进行还是需和无生产线设计公司实施合作，则是代工业面临的一个重大问题。